无锡中微亿芯有限公司取得基于ReRAM的FPGA用非易失性配置RAM专利

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航空产业网 2024-11-19

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无锡中微亿芯有限公司取得一项名为"基于ReRAM的FPGA用非易失性配置RAM"的专利,授权公告号CN117789794B,申请日期为2023-12-27。

专利摘要显示,本发明涉及一种基于ReRAM的FPGA用非易失性配置RAM。其包括ReRAM阵列,所述ReRAM阵列包括若干ReRAM单元,其中,对ReRAM阵列中的任一ReRAM单元,包括用于数据存储的可变电阻R0以及与所述可变阻值电阻R0适配连接的存储控制电路,其中,可变阻值电阻R0的电阻状态受加载到所述可变阻值电阻R0上的可变电阻控制电压控制;同一行的ReRAM单元连接至同一字线WL,同一列的ReRAM单元连接至同一位线BL以及同一反位线BLN。本发明可配置得到非易失性RAM,与现有CMOS工艺兼容,可有效提高FPGA的规模、速度和可靠性。

查看详情 : 基于ReRAM的FPGA用非易失性配置RAM

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