中科院硅酸盐研究所申请一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用专利

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航空产业网 2024-08-30

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中国科学院上海硅酸盐研究所申请一项名为"一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用"的专利,申请日期为2024-05-16。

专利摘要显示,本发明涉及半导体材料领域,公开了一种铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料及其制备方法、应用。该材料的化学式为CuInxSey,3<x<10,5<y<16;具有层状范德华单晶结构。制备方法包括:1)将Cu、In和Se真空密封升温熔融并保温,冷却,得到多晶棒;2)将多晶棒竖直置于双温区立式单晶炉中,温度由部至顶部递增,冷却,形成单晶铸锭;3)解理、切割,获得铜铟硒基无机塑性范德华单晶材料。本发明发现符合上述条件的材料,室温塑性弯曲应变可达5‑50%,在厚度为100μm‑100mm内进行弯曲、扭转、折叠、压缩变形而不断裂,并且可保持室温电导率在100‑8000 S m‑1,且电导率随温度升高而增大。

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