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2022年04年24日
航空产业网 2024-03-29
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北京微电子技术研究所申请一项名为"一种耐负压ESD防护电路"的专利，申请日期为2023-10-31。
专利摘要显示，本发明提供了一种耐负压ESD防护电路，包括栅串联电阻和深N阱结构的NMOS管。在芯片正常工作时，由于NMOS管的栅极没有电位处于关断状态；当正向ESD事件发生时，电路通过寄生的NPN结构泄放ESD电流；当负向ESD事件发生时，电路同样通过寄生的NPN结构泄放ESD电流。当芯片端口接入负压时，由于NMOS管的P衬没有直接与地电位连接，因此芯片内部不会向端口倒灌电流。本发明电路可以有效泄放ESD电流实现对内部电路的保护，还可以防止管脚出现负压时从芯片地流向管脚的倒灌电流，满足端口耐负压的要求。
查看详情 : 一种耐负压ESD防护电路
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