柔电(武汉)科技有限公司申请一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法专利

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航空产业网 2024-05-10

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柔电(武汉)科技有限公司申请一项名为"一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法"的专利,申请日期为2024-01-23。

专利摘要显示,本发明公开了一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法,包括:S1.将硅基负极材料粉体置于分子层沉积装置中,通过流化或者旋转多孔容器的方法将硅基负极材料粉体分散,根据需要沉积有机包覆层的种类,选择反应的第一前驱体和第二前驱体,设置沉积工艺参数;S2.在氮气或氩气携带下将第一前驱体蒸汽引入到反应室中,第一前驱体蒸汽吸附在硅基负极材料粉体上;S3.用氮气或氩气吹扫反应室,在氮气或氩气携带下将第二前驱体引入到反应室中,第二前驱体与第一前驱体反应得到有机包覆层;S4.用氮气或氩气吹扫反应室;S5.重复过程S2~S4,直至沉积到所需有机包覆层厚度;S6.在真空中炭化后,有机包覆层炭化形成导电碳层,得到包覆后的硅碳负极材料。

查看详情 : 一种利用分子层沉积的硅碳负极包覆方法

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