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2022年04年24日
航空产业网 2024-06-14
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请一项名为"一种互补型场效应晶体管器件及其制备方法"的专利，申请日期为2024-02-26。
专利摘要显示，本发明涉及一种互补型场效应晶体管（CFET）器件及其制备方法，其特点在于在同一器件沟道阵列中同时制备全包围栅结构n、p型晶体管，并通过对不同沟道区域设置不同材料、厚度的功函数层，分别调控CFET器件n、p型晶体管的阈值电压，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
查看详情 : 一种互补型场效应晶体管器件及其制备方法
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